6 octobre 2014

Pour continuer à miniaturiser les circuits électroniques, des scientifiques du monde entier travaillent sur des matériaux émergents afin de remplacer le silicium, arrivé aux limites de ses capacités. Le professeur de génie électrique et génie informatique à l’Université de Sherbrooke Hassan Maher est un de ceux-là, et pas le moindre!
Grâce à ses travaux, de même qu’aux infrastructures de l’Institut interdisciplinaire d’innovation technologique (3IT) dans le Parc Innovation de Sherbrooke, l’Université de Sherbrooke se trouve en position de tête au Canada dans le développement de circuits en nitrure de gallium (GaN), un semi-conducteur fort prometteur… mais encore couteux.
Pour contourner ce problème, et aussi celui de la réticence des décideurs à adopter des nouvelles technologies, Hassan Maher mise sur une stratégie ingénieuse : combiner le silicium et le nitrure de gallium!
Ce dernier est un matériau robuste et performant : il est capable de résister à des chaleurs intenses et de laisser passer une grande puissance électrique.
« Ce que nous développons ici à Sherbrooke vise à lancer la technologie GaN en ajoutant de petites couches à des gaufres de silicium. Cela permettrait de profiter des possibilités techniques du GaN, tout en rendant la technologie compatible avec l’infrastructure de fabrication déjà présente », explique le chercheur.
À terme, la technologie GaN pourrait être utilisée dans les véhicules électriques et hybrides, dans la production d’énergie solaire (photovoltaïque concentré) et… dans les adaptateurs électriques qui servent à recharger nos cellulaires et ordinateurs portables!
Source : Université de Sherbrooke
Crédit photo : Michel Caron et Hassan Maher